2021/04/23 星期五

    顶层蒙版

    3A、100V N沟道MOS场效应晶体管

    2020-03-03, 星期二
    关  é”®  å­— :

     N沟道;3A;100V

    应用领域 :

     ç”µå­

    ä»·æ ¼ :

     é¢è®®

    先进程度 :

     å›½å†…领先

    有  æ•ˆ  æœŸ :

     2023-12-31

    技术参数 :
    1、连续漏极电流:3A; 2、栅源电压:±20V; 3、脉冲漏极电流:20A; 4、最大耗散功率:2W; 5、工作温度:-55℃~125℃; 6、贮存温度:-55℃~175℃; 7、封装形式:SMD-0.2金属-陶瓷气密封装。
    功能描述 :
    N沟道MOS场效应晶体管是电子线路中应用最广泛的器件之一,具有驱动简单、开关速度快、密封性好、体积小、重量轻等特点和优势。适用于航空、航天、电子等领域,在电子线路中作开关、放大用。

    对接:http://jmjh.miit.gov.cn/jscp/HZ8080816f412309017089e2c2bf756f.shtml

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